Commandez en ligne, retrait gratuit en librairie
Électronique des Hautes Fréquences
Ces travaux de recherche se rapportent à l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différentes méthodes d'optimisation que ce soit au niveau électrique ou électromagnétique sont explicitées. Les modèles non linéaires de transistors impliqués dans nos conceptions sont de même détaillés. Le fruit de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribués de puissance large bande à base de cellules cascode de HEMTs GaN, l'un étant reportés en flip-chip sur un substrat d'AlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet d'atteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz à 2dB de compression. Ces résultats révèlent les fortes potentialités attendues des composants HEMTs GaN.
À propos de ce livre
Ces travaux de recherche se rapportent à l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différentes méthodes d'optimisation que ce soit au niveau électrique ou électromagnétique sont explicitées. Les modèles non linéaires de transistors impliqués dans nos conceptions sont de même détaillés. Le fruit de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribués de puissance large bande à base de cellules cascode de HEMTs GaN, l'un étant reportés en flip-chip sur un substrat d'AlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet d'atteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz à 2dB de compression. Ces résultats révèlent les fortes potentialités attendues des composants HEMTs GaN.
Publié chez UNIV EUROPEENNE en décembre 2010, cet ouvrage fait partie de nos recommandations au rayon Romans.
Le mot du libraire
Chaque livre présent dans notre librairie a été lu ou parcouru par notre équipe. Ce titre nous a particulièrement marqués pour sa qualité d’écriture et la justesse de son propos. N’hésitez pas à passer à la librairie : nous serons heureux d’en discuter avec vous.
Souvent achetés ensemble
Ce qu’ils en ont pensé
Aucun avis pour le moment — soyez le premier à donner le vôtre.
Connectez-vous pour laisser un avis.
Une question sur ce livre ?
Un libraire lit votre message et vous répond — sur Électronique des Hautes Fréquences comme sur ce que vous pourriez lire ensuite.
Une question fréquente, à compléterVotre adresse sert uniquement à vous répondre. Elle n’est ni affichée, ni transmise : la librairie répond par la messagerie Vitaville.
0/2000